6月28-29日，由江西科技师范大学先进电子材料与器件江西省重点实验室主办的“2025第二届氮化镓晶体生长专题研讨会”在红角洲校区图书馆第三会议室召开。
会议邀请多次获国家技术发明一、二等奖获得者、晶体生长领域的国际著名专家、中国科学院上海硅酸盐研究所博士生导师范世马豈研究员和国家自然科学二等奖获得者、教育部“新世纪优秀人才培养计划”入选者、西安交通大学博士生导师李振荣教授以及江西理工大学副校长、博士生导师熊志华教授担任主席。
中国科学院上海硅酸盐研究所范世马豈研究员、西安交通大学李振荣教授、南宁师范大学吴熙副教授、南京大学武文潇博士分别作题为“钠助熔剂法大尺寸GaN晶体生长关键技术”“西安交大钠助熔剂法生长GaN晶体的研究进展”“复合助熔剂-顶部籽晶技术生长GaN晶体的研究”“6英寸GaN厚膜HVPE生长”的报告。来自多个高校及研究单位的多位博士生、硕士生分享了自己的研究成果。
与会人员围绕推动学术创新，响应国家重大需求，共同攻克氮化镓晶体生长的技术挑战，促进学术和产业界的协同发展进行了深入交流。
来自国内从事氮化镓晶体生长研究的7所高校及研究单位近30名科研人员参加会议。
会后，与会专家学者参观了江西科技师范大学先进电子材料与器件重点实验室。重点实验室周明斌副教授、李琦博士、杨霞博士对重点实验室建设情况、研究方向及关键研究工作作了介绍。
